TDK демонстрирует прототипы микросхем памяти STT-MRAM плотностью 8 Мбит

На проходящей в эти дни в Японии выставке Combined Exhibition of Advanced Technologies (CEATEC) 2014 компания TDK демонстрирует прототипы чипов магниторезистивной памяти STT-MRAM плотностью 8 Мбит и другие передовые разработки.
TDK демонстрирует прототипы микросхем памяти STT-MRAM плотностью 8 Мбит

STT-MRAM — энергонезависимая память с произвольным доступом, в которой используется эффект передачи момента спина (STT — spin transfer torque). К ключевым достоинствам STT-MRAM относится высокое быстродействие.

В экспозицию вошли пластины диаметром 200 мм, на которых сформированы чипы STT-MRAM. Кстати, это первый раз, когда производитель показывает память MRAM широкой публике и раскрывает некоторые технические характеристики. Ожидается, что коммерциализация разработки займет от трех до пяти лет.

Кроме того, TDK привезла на CEATEC 2014 магниты для электродвигателей, источники питания, изделия для беспроводной передачи энергии, фильтры электромагнитных помех и компоненты систем магнитной записи данных.